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研究人员展示了如何将STM双样本的功能扩展到对选定材料表面电子输运的详细研究,开发了一种研究原子尺度微小物体中电子输运的新方法,图中蓝色方框区域所对应的放大STM形貌图,插图为利用四探针法跨石墨烯晶界测试的光学显微照片,实现了石墨烯在电子集成器件应用上与硅基技术的结合,揭示了硅原子、石墨烯、基底三者之间的协同作用【,人们一直认为三维材料1T-TaSe2和1T-TaS2表现出由电子-电子相互作用产生的新行为,研究了二维1T-TaSe2的独特行为

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